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    格罗方德:已研发出12nm工艺的3D封装Arm芯片
    发布日期:2019-08-12
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    2019-08-12

    根据外媒Tom"s Hardware的报道, GlobalFoundries (格罗方德)本周宣布,已经使用其12nm FinFET工艺成功制成了高性能的3D Arm芯片。

    格罗方德表示:“这些高密度的3D芯片将为计算应用,如AI/ML(人工智能和机器学习)以及高端消费级移动和无线解决方案,带来新的性能和能源效率。”

    据报道,格罗方德和Arm这两家公司已经验证了3D设计测试(DFT)方法,使用的是格罗方德的混合晶圆对晶圆键合。这项技术每平方毫米可支持多达100万个3D连接,使其具有高度可扩展性,并有望为12nm 3D芯片提供更长的使用寿命。

    对于3D封装技术,英特尔去年宣布了其对3D芯片堆叠的研究,AMD也谈到了在其芯片上叠加3D DRAM和SRAM的方案。

    文章来源:IT之家


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