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    三星2021年量产3nm 工艺芯片
    发布日期:2019-09-12
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    2019-09-12

    三星近日在日本举行的“三星晶圆代工论坛”(SFF)上,公布了其新一代工艺的进展,3nm工艺预计2021年量产。

    据悉在3nm节点上,三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺。GAA晶体管,三星称之为3GAE工艺。

    基于全新的GAA晶体管结构,三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管)。三星称,该技术可以显著增强晶体管性能,并取代FinFET晶体管技术。而且,MBCFET还兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。

    三星称,与现在的7nm工艺相比,3nm工艺可将核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%。

    今年4月,三星在其韩国华城的S3 Line工厂开始量产7nm芯片。

    文章来源:大半导体产业网


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