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    东芝存储器最新发布XL-Flash技术
    发布日期:2019-09-05
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    2019-09-05

    据外媒报道,东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器(Storage Class Memory)解决方案:XL-Flash,该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC,XL-Flash将为数据中心和企业存储带来了低延迟和高性能的解决方案,样品预计将于下月送样检测,或将于2020年量产。

    据东芝存储器表示,这项技术与英特尔3D Xpoint和三星Z-NAND一样,XL-Flash属于持久性存储器,不仅具有NAND Flash容量存储的能力,同时性能介于DRAM和NAND之间。虽然能像DRAM易失性存储解决方案提供应用程序要求苛刻的访问速度,但达到这种性能的的成本很高。DRAM单位成本限制了其容量的扩展性,新的SCM持久性存储器解决了密度、成本、性能等问题。

    它是介于DRAM和NAND闪存之间的产品,与传统的DRAM相比,具有更快的速度、更低的延迟和更高的存储容量。XL-Flash最初将以SSD产品为部署,但未来也将扩展到DRAM产品线上。 

    文章来源:中关村在线


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